Aussparungsätzlösung, Aussparungsätzverfahren und Herstellungsverfahren für Oberflächenbehandeltes Halbleitersubstrat
EP4257727
Art A1
11. Oktober 2023
Anmelder: MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4257727
- Aktenzeichen
- EP21903349
- Anmeldetag
- 6. Dezember 2021
- Veröffentlichung
- 11. Oktober 2023
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/3213H01L21/768C23F1/02C23F1/28
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Mitsubishi Gas Chemical Company
Japanisches Chemieunternehmen der Mitsubishi-Gruppe mit Fokus auf technische Kunststoffe, Methanol und Spezialchemikalien. Der Konzern beliefert unter anderem die Elektronik- und Verpackungsindustrie.
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