Speicherschaltung, Datenübertragungsschaltung und Speicher
EP4258265
Art A1
11. Oktober 2023
Anmelder: Changxin Memory Technologies, Inc. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4258265
- Aktenzeichen
- EP22732383
- Anmeldetag
- 20. April 2022
- Veröffentlichung
- 11. Oktober 2023
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- G11C5/02G11C5/06G11C7/10G11C11/4096G11C11/4197
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Changxin Memory Technologies, Inc.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Changxin Memory Technologies
Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.
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