Testverfahren für Speicherchip und Vorrichtung dafür

EP4258266 Art A1 11. Oktober 2023

Anmelder: Changxin Memory Technologies, Inc. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP4258266
Aktenzeichen
EP22731977
Anmeldetag
12. April 2022
Veröffentlichung
11. Oktober 2023
Rechtsraum
EP
IPC
G11C29/50G11C29/12G11C29/00
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
Changxin Memory Technologies, Inc.
Land
🇨🇳 China
🇨🇳 Changxin Memory Technologies

Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.

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