Halbleiteranordnung mit Breitem Bandabstand und Herstellungsverfahren

EP4258364 Art A1 11. Oktober 2023

Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP4258364
Aktenzeichen
EP22166544
Anmeldetag
4. April 2022
Veröffentlichung
11. Oktober 2023
Rechtsraum
EP
IPC
H01L29/861H01L29/08H01L29/16H01L29/20H01L29/36
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
Infineon Technologies AG
Land
🇩🇪 Deutschland
🇩🇪 Infineon Technologies

Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.

4.872 Patente in unserer Datenbank

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen