Halbleitervorrichtung mit Seitenwandverbindungsstruktur und Herstellungsverfahren für die Halbleitervorrichtung und Elektronische Vorrichtung
EP4261883
Art A1
18. Oktober 2023
Anmelder: Institute Of Microelectronics, Chinese Academy Of Sciences 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4261883
- Aktenzeichen
- EP21902090
- Anmeldetag
- 27. August 2021
- Veröffentlichung
- 18. Oktober 2023
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L23/538H01L21/48H01L21/822H01L21/8234H01L27/06H01L27/088H01L29/417H01L29/66H01L29/78H01L29/786H01L21/8238H01L27/092
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Institute Of Microelectronics, Chinese Academy Of Sciences
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences
Chinesisches Forschungsinstitut der Chinese Academy of Sciences mit Schwerpunkt auf Mikroelektronik und Halbleitertechnologie. Patente betreffen Chipdesign und Halbleiterfertigung.
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Fachgebiete
Kanzlei
Schoppe, Zimmermann, Stöckeler
München, Deutschland
Schoppe, Zimmermann, Stöckeler, Zinkler, Schenk & Partner mbB berät von München aus Unternehmen und Forschungseinrichtungen aus aller Welt, mit technischem Schwerpunkt auf Audio- und Videokodierung, Mobilfunk, künstlicher Intelligenz und Halbleitertechnik.
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