Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterstruktur mit einem Agglomerat-Haltigen Grenzflächenbereich

EP4264659 Art B1 1. Januar 2025

Anmelder: Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives, SOITEC, Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4264659
Aktenzeichen: EP21835348
Anmeldetag: 29. November 2021
Veröffentlichung: 1. Januar 2025
Erteilung: 1. Januar 2025
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/18H01L21/02H01L21/322

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives
SOITEC
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 CEA (Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives)

Französisches staatliches Forschungsinstitut mit Sitz in Paris (Verwaltung) und Standorten wie Grenoble und Saclay. Forscht in Kernenergie, erneuerbaren Energien, Mikroelektronik, Werkstoffwissenschaften, Verteidigungstechnik und Informationstechnologien.

5.929 Patente in unserer Datenbank

🇫🇷 Soitec

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

529 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von