Fet-Konstruktion mit Kupfersäulen oder Höckern Direkt über dem Fet
EP4264665
Art A1
25. Oktober 2023
Anmelder: Texas Instruments Incorporated 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4264665
- Aktenzeichen
- EP21907465
- Anmeldetag
- 6. Dezember 2021
- Veröffentlichung
- 25. Oktober 2023
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/768H01L21/335H01L23/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Texas Instruments Incorporated
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Texas Instruments
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Dallas (Texas). Entwickelt und fertigt analoge und eingebettete Halbleiterprodukte, Prozessoren sowie Schaltkreise für Industrie, Automobil- und Konsumelektronik.
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