Rundumkontakt für Source-Drain eines Vertikalen Feldeffekttransistors

EP4264673 Art A1 25. Oktober 2023

Anmelder: International Business Machines Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4264673
Aktenzeichen: EP21810967
Anmeldetag: 10. November 2021
Veröffentlichung: 25. Oktober 2023
Rechtsraum: EP
IPC: H01L29/417H01L21/768H01L29/78H01L21/336

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: International Business Machines Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 IBM

US-amerikanischer Technologiekonzern mit Sitz in Armonk, New York. International Business Machines entwickelt Hardware, Software, Cloud-Dienste sowie Lösungen für künstliche Intelligenz, Halbleiter und Unternehmens-IT.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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