Keramisches Ritzsubstrat, Verfahren zur Herstellung des Keramischen Ritzsubstrats, Verfahren zur Herstellung der Keramischen Leiterplatte und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterelements
EP4266835
Art A1
25. Oktober 2023
Anmelder: Niterra Materials Co., Ltd., KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA, Toshiba Materials Co., Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4266835
- Aktenzeichen
- EP21906635
- Anmeldetag
- 14. Dezember 2021
- Veröffentlichung
- 25. Oktober 2023
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H05K1/02H01L23/12H01L23/13H05K3/00C04B41/00C04B41/53C04B41/91C04B37/02
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Niterra Materials Co., Ltd.
KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
Toshiba Materials Co., Ltd. - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Toshiba
Japanischer Konzern, der Elektronik, Halbleiter, Energie- und Infrastrukturtechnik sowie Industrieanlagen entwickelt und herstellt.
3.468 Patente in unserer Datenbank
Vertreten von
-
Hoffmann Eitle
Hoffmann Eitle · München