Reparatursystem und Reparaturverfahren für Halbleiterstruktur sowie Speichermedium und Elektronische Vorrichtung
EP4270397
Art A1
1. November 2023
Anmelder: Changxin Memory Technologies, Inc. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4270397
- Aktenzeichen
- EP22730660
- Anmeldetag
- 14. März 2022
- Veröffentlichung
- 1. November 2023
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- G11C29/24G11C29/44// G11C29/00G11C29/12G11C29/56
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Changxin Memory Technologies, Inc.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Changxin Memory Technologies
Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.
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