Steuerschaltung und Halbleiterspeicher

EP4276831 Art A1 15. November 2023

Anmelder: Changxin Memory Technologies, Inc. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP4276831
Aktenzeichen
EP22789451
Anmeldetag
19. April 2022
Veröffentlichung
15. November 2023
Rechtsraum
EP
IPC
G11C5/14G11C11/4072G11C11/34G11C7/10G11C7/22G11C8/06G11C11/4076G11C11/408G11C11/4093G06F1/3203G11C11/401G11C11/4074H03K19/20
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
Changxin Memory Technologies, Inc.
Land
🇨🇳 China
🇨🇳 Changxin Memory Technologies

Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.

2.637 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Elektronik & Schaltungstechnik Software & Datenverarbeitung

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