Steuerungsverfahren, Halbleiterspeicher und Elektronische Vorrichtung
EP4276836
Art A1
15. November 2023
Anmelder: Changxin Memory Technologies, Inc. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4276836
- Aktenzeichen
- EP22839625
- Anmeldetag
- 19. Mai 2022
- Veröffentlichung
- 15. November 2023
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- G11C29/02G11C29/50G11C29/12
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Changxin Memory Technologies, Inc.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Changxin Memory Technologies
Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.
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Fachgebiete
Vertreten von
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Gulde & Partner
Gulde & Partner · Berlin
-
V.O
V.O · Den Haag