Verfahren zur Herstellung eines Leistungshalbleitermoduls

EP4276888 Art A1 15. November 2023

Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4276888
Aktenzeichen: EP22172217
Anmeldetag: 9. Mai 2022
Veröffentlichung: 15. November 2023
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/50H01L23/04H01L23/053H01L23/24// H01L25/07H01L21/54H01L23/373H01L23/057H01L23/498

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Infineon Technologies AG
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 Infineon Technologies

Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.

4.872 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von