Trägersubstrat aus Silizium für Hochfrequenzanwendungen und Zugehöriges Herstellungsverfahren

EP4278374 Art B1 16. April 2025

Anmelder: Applied Materials, Inc., SOITEC 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4278374
Aktenzeichen: EP21852055
Anmeldetag: 23. Dezember 2021
Veröffentlichung: 16. April 2025
Erteilung: 16. April 2025
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/02

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firmen: Applied Materials, Inc.
SOITEC
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Applied Materials

US-amerikanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien. Applied Materials entwickelt Fertigungsanlagen und Prozesstechnologien für die Halbleiter-, Display- und Solarindustrie, unter anderem für Beschichtung, Ätzen und Materialabscheidung.

6.825 Patente in unserer Datenbank

🇫🇷 Soitec

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

529 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von