Halbleiterstruktur und Herstellungsverfahren dafür
EP4280257
Art A1
22. November 2023
Anmelder: Changxin Memory Technologies, Inc. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4280257
- Aktenzeichen
- EP22731461
- Anmeldetag
- 9. Mai 2022
- Veröffentlichung
- 22. November 2023
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H10B12/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Changxin Memory Technologies, Inc.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Changxin Memory Technologies
Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.
2.637 Patente in unserer Datenbank