Ätzzusammensetzung, Ätzverfahren, Herstellungsverfahren für Halbleiterbauelement und Herstellungsverfahren für Gate-All-Around-Transistor
EP4280258
Art A1
22. November 2023
Anmelder: Mitsubishi Chemical Corporation 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4280258
- Aktenzeichen
- EP21919549
- Anmeldetag
- 15. November 2021
- Veröffentlichung
- 22. November 2023
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/3213H01L21/306H01L29/66C09K13/00// H01L29/06H01L29/08H01L29/423H01L29/775H01L29/786B82Y10/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Mitsubishi Chemical Corporation
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Mitsubishi Chemical
Japanisches Chemieunternehmen mit Sitz in Tokio, Teil der Mitsubishi-Chemical-Gruppe. Das Unternehmen entwickelt Grund- und Spezialchemikalien, Kunststoffe, Materialien für Elektronik und Energiespeicher sowie Pharma- und Life-Science-Produkte.
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Vertreten von
-
Hoffmann Eitle
Hoffmann Eitle · München