Asymmetrisch Abgewinkelte Gate-Struktur und Verfahren zur Herstellung davon

EP4281997 Art A1 29. November 2023

Anmelder: Raytheon Company 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4281997
Aktenzeichen: EP22703861
Anmeldetag: 17. Januar 2022
Veröffentlichung: 29. November 2023
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/285H01L21/027H01L29/41H01L29/423H01L21/338

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Raytheon Company
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Raytheon Company

US-amerikanisches Rüstungs- und Technologieunternehmen mit Sitz in Massachusetts, heute Teil von RTX Corporation. Entwickelt Verteidigungssysteme, Radartechnik, Flugabwehr, Sensorik und Luftfahrtelektronik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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