Verfahren zur Herstellung eines Kondensators, Kondensator und Speicher
EP4290552
Art A1
13. Dezember 2023
Anmelder: Changxin Memory Technologies, Inc., Changxin Jidian (Beijing) Memory Technologies Co. Ltd. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4290552
- Aktenzeichen
- EP22782648
- Anmeldetag
- 10. Juni 2022
- Veröffentlichung
- 13. Dezember 2023
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/423H10B12/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Changxin Memory Technologies, Inc.
Changxin Jidian (Beijing) Memory Technologies Co. Ltd. - Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Changxin Memory Technologies
Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.
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