Indium-Galliumnitrid-Leuchtdioden mit Erhöhter Quanteneffizienz
EP4295418
Art A1
27. Dezember 2023
Anmelder: Applied Materials, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4295418
- Aktenzeichen
- EP22756704
- Anmeldetag
- 4. Februar 2022
- Veröffentlichung
- 27. Dezember 2023
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L33/20H01L33/16H01L33/32H01L21/02H01L33/00// H01L27/15
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Applied Materials, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Applied Materials
US-amerikanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien. Applied Materials entwickelt Fertigungsanlagen und Prozesstechnologien für die Halbleiter-, Display- und Solarindustrie, unter anderem für Beschichtung, Ätzen und Materialabscheidung.
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