Transistor mit Stromanschlussbereichen und Kanalbereich in einer Schicht über einem Dielektrikum
EP4297099
Art A1
27. Dezember 2023
Anmelder: NXP USA, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4297099
- Aktenzeichen
- EP23177626
- Anmeldetag
- 6. Juni 2023
- Veröffentlichung
- 27. Dezember 2023
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/66H01L29/786H01L21/02// H01L29/08
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- NXP USA, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
NXP USA
US-amerikanische Gesellschaft des Halbleiterkonzerns NXP, die Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation und Industrieelektronik entwickelt.
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