Verfahren zur Herstellung des Rests eines Donorsubstrats, dessen Schicht durch Delamination Entfernt Wurde

EP4298660 Art B1 17. Juli 2024

Anmelder: SOITEC 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4298660
Aktenzeichen: EP22708987
Anmeldetag: 14. Februar 2022
Veröffentlichung: 17. Juli 2024
Erteilung: 17. Juli 2024
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/02H01L21/762

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: SOITEC
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 Soitec

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

801 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von