Verfahren und Vorrichtung für Hot-Swapping-Speicher und Speicher
EP4300319
Art A1
3. Januar 2024
Anmelder: Changxin Memory Technologies, Inc. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4300319
- Aktenzeichen
- EP22760642
- Anmeldetag
- 20. Juni 2022
- Veröffentlichung
- 3. Januar 2024
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- G06F13/40G06F11/16G06F1/18G06F1/26G06F11/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Changxin Memory Technologies, Inc.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Changxin Memory Technologies
Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.
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Fachgebiete
Vertreten von
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Gulde & Partner
Gulde & Partner · Berlin
-
V.O
V.O · Den Haag