Herstellung von Integrierten Gate-All-Around-Schaltungsstrukturen mit Gemeinsamen Metallgates und Gate-Dielektrika mit Dipolschicht gegen Polarität
EP4300564
Art A1
3. Januar 2024
Anmelder: INTEL Corporation 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4300564
- Aktenzeichen
- EP23171814
- Anmeldetag
- 5. Mai 2023
- Veröffentlichung
- 3. Januar 2024
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/8238H01L27/092H01L29/423// H01L29/775
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- INTEL Corporation
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Intel
US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.
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Boehmert & Boehmert
München, Deutschland
Boehmert & Boehmert geht auf die Zulassung von Dr. Karl Boehmert 1931 in Berlin zurück. Mit Standorten in Deutschland, Alicante, Paris und Shanghai bietet die Kanzlei IP aus einer Hand und legt besonderen Wert auf persönliche Mandantenbetreuung statt Anonymität.
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