Nichtflüchtige Doppelbit-Speicherzellen mit Floating Gates in Substratgräben

EP4301107 Art B1 25. Juni 2025

Anmelder: Silicon Storage Technology, Inc., Silicon Storage Technology Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4301107
Aktenzeichen: EP23208893
Anmeldetag: 22. Oktober 2018
Veröffentlichung: 25. Juni 2025
Erteilung: 25. Juni 2025
Rechtsraum: EP
IPC: G11C16/04H10B41/35H01L21/28G11C16/10G11C16/26G11C16/14H10D30/01H10D30/68H10D64/01

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Silicon Storage Technology, Inc.
Silicon Storage Technology Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Silicon Storage Technology

Silicon Storage Technology ist ein US-amerikanischer Halbleiterhersteller, der auf nichtflüchtige Speichertechnologien spezialisiert ist und zu Microchip Technology gehört. Das Patentportfolio konzentriert sich stark auf Datenspeicherung sowie Halbleiter und elektrische Bauelemente, ergänzt durch Software. Anmeldungen laufen durchgehend seit 2000.

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Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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