Verfahren zur Herstellung einer Struktur mit einer Vielzahl von Membranen, die über Hohlräume Überleiten
EP4303175
Art A1
10. Januar 2024
Anmelder: SOITEC, Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives, Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4303175
- Aktenzeichen
- EP23183245
- Anmeldetag
- 4. Juli 2023
- Veröffentlichung
- 10. Januar 2024
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- B81C1/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- SOITEC
Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Land
- 🇫🇷 Frankreich
🇫🇷
Soitec
Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.
529 Patente in unserer Datenbank
🇫🇷
CEA (Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives)
Französisches staatliches Forschungsinstitut mit Sitz in Paris (Verwaltung) und Standorten wie Grenoble und Saclay. Forscht in Kernenergie, erneuerbaren Energien, Mikroelektronik, Werkstoffwissenschaften, Verteidigungstechnik und Informationstechnologien.
5.929 Patente in unserer Datenbank