Halbleiterstruktur und Herstellungsverfahren dafür
EP4303910
Art B1
22. Oktober 2025
Anmelder: Changxin Memory Technologies, Inc. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4303910
- Aktenzeichen
- EP22925225
- Anmeldetag
- 16. Juni 2022
- Veröffentlichung
- 22. Oktober 2025
- Erteilung
- 22. Oktober 2025
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/3213H01L21/02H01L21/768
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Changxin Memory Technologies, Inc.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Changxin Memory Technologies
Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.
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