Verfahren zur Herstellung von Metalloxid

EP4306677 Art A1 17. Januar 2024

Anmelder: Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4306677
Aktenzeichen: EP23183801
Anmeldetag: 6. Juli 2023
Veröffentlichung: 17. Januar 2024
Rechtsraum: EP
IPC: C23C16/40C23C16/455H01L21/02H01L29/66H01L29/786

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Semiconductor Energy Laboratory

Japanisches Forschungsunternehmen mit Sitz in Atsugi. Semiconductor Energy Laboratory (SEL) forscht an Halbleitertechnologien, Flüssigkristall- und OLED-Displays sowie Dünnschichttransistoren.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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