Gehäusestruktur, dafür Vorgesehenes Herstellungsverfahren und Halbleiterbauelement
EP4307352
Art B1
7. Mai 2025
Anmelder: Changxin Memory Technologies, Inc. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4307352
- Aktenzeichen
- EP22836031
- Anmeldetag
- 29. Juni 2022
- Veröffentlichung
- 7. Mai 2025
- Erteilung
- 7. Mai 2025
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/66H01L23/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Changxin Memory Technologies, Inc.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Changxin Memory Technologies
Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.
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