Halbleiterstruktur und Herstellungsverfahren
EP4307356
Art A1
17. Januar 2024
Anmelder: Changxin Memory Technologies, Inc. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4307356
- Aktenzeichen
- EP21938854
- Anmeldetag
- 26. September 2021
- Veröffentlichung
- 17. Januar 2024
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/768H01L23/522H01L23/528H01L23/532H01L23/52
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Changxin Memory Technologies, Inc.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Changxin Memory Technologies
Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.
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