Gehäusestruktur
EP4307367
Art B1
4. März 2026
Anmelder: Changxin Memory Technologies, Inc. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4307367
- Aktenzeichen
- EP22899621
- Anmeldetag
- 13. Juni 2022
- Veröffentlichung
- 4. März 2026
- Erteilung
- 4. März 2026
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/66H01L23/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Changxin Memory Technologies, Inc.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Changxin Memory Technologies
Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.
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Fachgebiete
Vertreten von
-
Gulde & Partner
Gulde & Partner · Berlin
-
V.O
V.O · Den Haag