Ncfet-Transistor mit einem Halbleiter-Auf-Isolator-Substrat

EP4309205 Art A1 24. Januar 2024

Anmelder: SOITEC 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4309205
Aktenzeichen: EP22714482
Anmeldetag: 17. März 2022
Veröffentlichung: 24. Januar 2024
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/762H01L21/84H01L27/12H01L29/786

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SOITEC
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 Soitec

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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