Magnetoresistiver Direktzugriffsspeicher (mram) mit Sensor für Lebensenderand
EP4310845
Art B1
6. August 2025
Anmelder: NXP USA, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4310845
- Aktenzeichen
- EP23177547
- Anmeldetag
- 6. Juni 2023
- Veröffentlichung
- 6. August 2025
- Erteilung
- 6. August 2025
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- G11C11/16
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- NXP USA, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
NXP USA
US-amerikanische Gesellschaft des Halbleiterkonzerns NXP, die Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation und Industrieelektronik entwickelt.
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