Gruppe-Iii-Nitrid-Basierte Halbleitervorrichtung

EP4310899 Art A1 24. Januar 2024

Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4310899
Aktenzeichen: EP22186578
Anmeldetag: 22. Juli 2022
Veröffentlichung: 24. Januar 2024
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/768H01L23/485H01L29/778H01L29/40

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Infineon Technologies AG
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 Infineon Technologies

Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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