Lateral Neben Gan auf Si-Feldeffekttransistoren Hergestellter Photoleitender Halbleiterschalter
EP4315432
Art A1
7. Februar 2024
Anmelder: Raytheon Company 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4315432
- Aktenzeichen
- EP22721929
- Anmeldetag
- 30. März 2022
- Veröffentlichung
- 7. Februar 2024
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L31/09H01L31/0304H01L27/144H01L27/146
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Raytheon Company
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Raytheon Company
US-amerikanisches Rüstungs- und Technologieunternehmen mit Sitz in Massachusetts, heute Teil von RTX Corporation. Entwickelt Verteidigungssysteme, Radartechnik, Flugabwehr, Sensorik und Luftfahrtelektronik.
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