Phasenanpassungsschaltung, Verzögerungsverriegelungsschaltung und Speicher

EP4318474 Art B1 6. August 2025

Anmelder: Changxin Memory Technologies, Inc. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP4318474
Aktenzeichen
EP22847397
Anmeldetag
27. Juni 2022
Veröffentlichung
6. August 2025
Erteilung
6. August 2025
Rechtsraum
EP
IPC
H03L7/081H03L7/093H03L7/085G11C11/4076G11C7/02G11C7/22G11C29/02G11C29/50// H03K5/133
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
Changxin Memory Technologies, Inc.
Land
🇨🇳 China
🇨🇳 Changxin Memory Technologies

Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.

2.637 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Elektronik & Schaltungstechnik

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