Halbleiterstruktur und Herstellungsverfahren Dafür, Speicher und Betriebsverfahren dafür

EP4318476 Art B1 4. März 2026

Anmelder: Changxin Memory Technologies, Inc. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP4318476
Aktenzeichen
EP22764636
Anmeldetag
4. Juli 2022
Veröffentlichung
4. März 2026
Erteilung
4. März 2026
Rechtsraum
EP
IPC
G11C17/16G11C5/02G11C5/04H10B20/20H10B20/25H10B69/00H01L23/525
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
Changxin Memory Technologies, Inc.
Land
🇨🇳 China
🇨🇳 Changxin Memory Technologies

Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.

2.637 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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