Halbleiterstruktur und Herstellungsverfahren dafür sowie Layoutstruktur
EP4318586
Art B1
10. Dezember 2025
Anmelder: Changxin Memory Technologies, Inc. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4318586
- Aktenzeichen
- EP22793505
- Anmeldetag
- 28. Juli 2022
- Veröffentlichung
- 10. Dezember 2025
- Erteilung
- 10. Dezember 2025
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H10B12/00H10D89/10// H10D30/67H10D1/68
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Changxin Memory Technologies, Inc.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Changxin Memory Technologies
Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.
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