Verfahren zum Herstellen eines Kopfes auf einem Siliziumkarbid-Halbleiter-Substrat, und Siliziumkarbid-Halbleitervorrichtung

EP4322202 Art A1 14. Februar 2024

Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4322202
Aktenzeichen: EP22189588
Anmeldetag: 9. August 2022
Veröffentlichung: 14. Februar 2024
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/04H01L21/268H01L29/45

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Infineon Technologies AG
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 Infineon Technologies

Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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