Mikroelektronische Vorrichtungen mit Substratdurchgangsverbindungen und Zugehörige Verfahren zur Herstellung

EP4322215 Art A3 3. Juli 2024

Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4322215
Aktenzeichen: EP23199195
Anmeldetag: 31. Januar 2011
Veröffentlichung: 3. Juli 2024
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/768H01L23/48H01L23/522H01L25/065

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Micron Technology, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Micron Technology

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.

3.194 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von