Halbleiterstruktur und Speicher

EP4322218 Art A1 14. Februar 2024

Anmelder: Changxin Memory Technologies, Inc. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP4322218
Aktenzeichen
EP22782812
Anmeldetag
8. Juli 2022
Veröffentlichung
14. Februar 2024
Rechtsraum
EP
IPC
H01L27/02G11C16/04G11C16/06G11C5/02G11C7/06G11C7/10G11C11/4091H10B12/00
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
Changxin Memory Technologies, Inc.
Land
🇨🇳 China
🇨🇳 Changxin Memory Technologies

Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.

2.637 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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