Halbleiterstruktur und Herstellungsverfahren dafür sowie Speicher und Herstellungsverfahren dafür
EP4322219
Art B1
11. Februar 2026
Anmelder: Changxin Memory Technologies, Inc. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4322219
- Aktenzeichen
- EP22783273
- Anmeldetag
- 8. Juli 2022
- Veröffentlichung
- 11. Februar 2026
- Erteilung
- 11. Februar 2026
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H10B12/00H10D1/66H01L23/00H01L25/065H01L25/18H01L25/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Changxin Memory Technologies, Inc.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Changxin Memory Technologies
Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.
2.637 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
-
Gulde & Partner
Gulde & Partner · Berlin
-
V.O
V.O · Den Haag