Halbleitergehäuseanordnung und Herstellungsverfahren
EP4325557
Art A1
21. Februar 2024
Anmelder: Changxin Memory Technologies, Inc. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4325557
- Aktenzeichen
- EP22790428
- Anmeldetag
- 4. August 2022
- Veröffentlichung
- 21. Februar 2024
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L23/31H01L23/535H01L23/538H01L25/065H01L25/18H01L21/56H01L21/98H01L25/10// H01L23/498H01L21/60
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Changxin Memory Technologies, Inc.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Changxin Memory Technologies
Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.
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Fachgebiete
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Gulde & Partner · Berlin
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V.O · Den Haag