Halbleitergehäusestruktur und Herstellungsverfahren
EP4325558
Art B1
1. Oktober 2025
Anmelder: Changxin Memory Technologies, Inc. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4325558
- Aktenzeichen
- EP22830682
- Anmeldetag
- 1. August 2022
- Veröffentlichung
- 1. Oktober 2025
- Erteilung
- 1. Oktober 2025
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L23/31H01L21/56H01L23/552H01L23/60H01L23/433H01L25/10// H01L21/60H01L25/065
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Changxin Memory Technologies, Inc.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Changxin Memory Technologies
Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.
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Gulde & Partner · Berlin
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V.O · Den Haag