Halbleitergehäuse

EP4325562 Art A1 21. Februar 2024

Anmelder: Changxin Memory Technologies, Inc. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP4325562
Aktenzeichen
EP22783274
Anmeldetag
4. August 2022
Veröffentlichung
21. Februar 2024
Rechtsraum
EP
IPC
H01L23/498H01L25/065H01L25/10H01L21/60H01L21/98H01L23/552// H01L21/56
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
Changxin Memory Technologies, Inc.
Land
🇨🇳 China
🇨🇳 Changxin Memory Technologies

Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.

2.637 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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