Halbleiterstruktur, Speicher und Verfahren zum Betrieb eines Speichers

EP4326025 Art A1 21. Februar 2024

Anmelder: Changxin Memory Technologies, Inc. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP4326025
Aktenzeichen
EP22792731
Anmeldetag
2. August 2022
Veröffentlichung
21. Februar 2024
Rechtsraum
EP
IPC
H10B20/25G11C17/18G11C17/16H01L23/525
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
Changxin Memory Technologies, Inc.
Land
🇨🇳 China
🇨🇳 Changxin Memory Technologies

Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.

2.637 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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