Speicher und Herstellungsverfahren dafür

EP4326026 Art A1 21. Februar 2024

Anmelder: Changxin Memory Technologies, Inc. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP4326026
Aktenzeichen
EP22932804
Anmeldetag
12. April 2022
Veröffentlichung
21. Februar 2024
Rechtsraum
EP
IPC
H10B12/00// H01L29/423H01L29/786
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
Changxin Memory Technologies, Inc.
Land
🇨🇳 China
🇨🇳 Changxin Memory Technologies

Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.

2.637 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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