Speichervorrichtung und Zq-Kalibrierungsverfahren

EP4328911 Art B1 16. Juli 2025

Anmelder: Changxin Memory Technologies, Inc. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP4328911
Aktenzeichen
EP22924580
Anmeldetag
8. Oktober 2022
Veröffentlichung
16. Juli 2025
Erteilung
16. Juli 2025
Rechtsraum
EP
IPC
G11C7/10G11C11/4078H01L23/64G11C5/06G11C11/4093G11C29/02G11C29/50H03K19/017
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
Changxin Memory Technologies, Inc.
Land
🇨🇳 China
🇨🇳 Changxin Memory Technologies

Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.

2.637 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Elektronik & Schaltungstechnik Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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