Signalabtastschaltung und Halbleiterspeicher
EP4328917
Art B1
28. Januar 2026
Anmelder: Changxin Memory Technologies, Inc. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4328917
- Aktenzeichen
- EP22932898
- Anmeldetag
- 15. Juni 2022
- Veröffentlichung
- 28. Januar 2026
- Erteilung
- 28. Januar 2026
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- G11C29/12G11C7/10G11C8/06G11C8/18G11C11/4076G11C11/408G11C8/12
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Changxin Memory Technologies, Inc.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Changxin Memory Technologies
Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.
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