Einzelschleifenspeichervorrichtung, Doppelschleifenspeichervorrichtung und Zq-Kalibrierungsverfahren
EP4328918
Art B1
3. Dezember 2025
Anmelder: Changxin Memory Technologies, Inc. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4328918
- Aktenzeichen
- EP22924573
- Anmeldetag
- 8. Oktober 2022
- Veröffentlichung
- 3. Dezember 2025
- Erteilung
- 3. Dezember 2025
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- G11C29/50G11C29/02G06F30/30G06F115/00G11C7/10G11C11/4093
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Changxin Memory Technologies, Inc.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Changxin Memory Technologies
Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.
2.637 Patente in unserer Datenbank