Halbleiterstruktur und Verfahren zu Ihrer Herstellung

EP4328969 Art B1 3. September 2025

Anmelder: Changxin Memory Technologies, Inc. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP4328969
Aktenzeichen
EP22836032
Anmeldetag
14. Juli 2022
Veröffentlichung
3. September 2025
Erteilung
3. September 2025
Rechtsraum
EP
IPC
H01L23/64H10B12/00H01L21/308G01R31/28H01L23/544H10D1/68H10D30/67
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
Changxin Memory Technologies, Inc.
Land
🇨🇳 China
🇨🇳 Changxin Memory Technologies

Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.

2.637 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik

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